炭化ケイ素（SiC）は、主に「反応焼結法」と「焼結法」の2種類の製造方法があります。これらの製法は、最終的な微細構造と性能に大きく影響します。

反応焼結SiC（RB-SiC）：炭化ケイ素と炭素から成るプリフォームに溶融シリコンを浸透させ、シリコンが炭素と反応して新たなSiCを形成し、元のSiC粒子を結合します。この方法により、元のSiC、新たに生成されたSiC、および残留シリコンからなる複合構造が形成されます。

焼結SiC（SSiC）：高純度SiC粉末に非酸化物系焼結助剤を加え、標準的なセラミック成形法で成形し、不活性雰囲気下で2000℃以上で焼結します。これにより、残留シリコンを含まない完全に緻密な単一構造体のSiCが得られます。

両者ともに、優れた耐摩耗性、高い機械的強度、熱衝撃耐性を有しますが、それぞれの微細構造により用途に応じた特性が異なります。当社の技術チームが、用途や設計要件に最適なSiCの選定をサポートします。